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HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀



產(chǎn)品介紹

HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀是專門用于硅芯硅棒生產(chǎn)中的硅棒硅芯內(nèi)部的的裂縫、雜質(zhì)、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器可大幅提高硅芯生產(chǎn)過程中的效率和效益


主要原理是:在特定光源和紅外探測器的協(xié)助下,我們的紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅棒,純硅料幾乎不吸收這個波段的波長,但是如果硅塊里面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂,則這些雜質(zhì)將吸收紅外光,因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來,而且這些圖像將通過我們的軟件自動生成三維模型圖像。

 

系統(tǒng)的基礎結構由相同的輥動單元構成。輥子裝置安全地固定鋼錠,并充當兩側軌道的基礎結構單晶硅芯長棒沿滾動支撐結構鋪設。紅外測量單元單晶長棒上方移動,同時旋轉(zhuǎn)單晶長棒。紅外測量是掃描式的,在固定電橋位置360度旋轉(zhuǎn)期間拍攝的圖像。測量單元移動到下一個測量位置對于圓柱形物體,這種測量策略給出了最準確的結果。

 

通常我們都是在硅線切割硅芯前進行紅外探傷,在線切割前進行紅外探傷不僅可以減少不合格硅芯,而且可以減少斷線,大大提高效益,這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。因此它是單晶硅芯生產(chǎn)中不可或缺的工具。


產(chǎn)品特點

■ 硅芯勝場過程中的質(zhì)量控制提供了強大的監(jiān)測工具

■  測量單元可以沿著在軌道上滾動單晶硅芯長棒上移動

■ 檢測速度快,平均每個長超3米以上的硅棒檢測時間為不超過6分鐘不含裝卸時間

■ NIRVision?軟件能夠分析探傷結果,并且直接將結果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像

■ 獨特的加強型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強大的技術保障

■ 采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料

■ 表面都采用了高強度漆面和電氧化工藝保護

■ 系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設計

■ 所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求

■ 能夠通過自動或手動旋轉(zhuǎn)對單晶長棒進行全面探傷。

■ 紅外光源通過交直流光源進行控制,光強可以通過軟件直接控制,同時它具有過熱保護功能

■ 同時軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能

■ 穩(wěn)定性耐用性俱佳

■ 探傷測試面拋光處理效果最佳,推薦在線硅芯切割之前進行紅外探傷

■ 紅外成像光源受電阻率影響,硅塊電阻率越低,則對紅外光的吸收越多

■ 一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上

■ 系統(tǒng)的基礎結構由相同的輥動單元構成。輥子裝置安全地固定鋼錠,并充當兩側軌道的基礎結構

■ 單晶硅芯長棒沿滾動支撐結構鋪設。

■ 紅外測量單元單晶長棒上方移動,同時旋轉(zhuǎn)單晶長棒

■ 紅外測量是掃描式的,在固定電橋位置360度旋轉(zhuǎn)期間拍攝的圖像。

■ 測量單元移動到下一個測量位置對于圓柱形物體,這種測量策略給出了最準確的結果。


 

技術指標:

 

主要探測指標直徑200mm x 長度3500mm可定制隱裂,硬質(zhì)點

硅塊電阻率0.8Ohm*Cm

檢測時間平均每個硅6分鐘不含裝卸時間

ü 一次掃描的表面為630mm(周長)x 200mm(攝像機視野)。

ü 全長350cm,可在17個位置捕獲(尾部,頭部消除)

ü 可在20秒內(nèi)獲得一次360度旋轉(zhuǎn)捕獲。完整測量時間可保持在6分鐘左右,不包括加載和卸載過程。

 

最大探測深度200mm

外框和箱體

尺寸:450x83x55 (WxDxH-,依據(jù)定制進行尺寸調(diào)整) 

 外框采用數(shù)控工程鋁合金

外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板

主機重量:400 kg

附件重量:25 kg

 旋轉(zhuǎn)

采用單軸伺服電機

最大承載量:350kg

具有過流保護以防止損傷和電機燒毀

無步進損失,高分辨率解碼機器

■ 紅外光源

高強度NIR鹵燈,273mm加熱波長

功率:230V,1000W

溫度:25-60攝氏度,盒子通風,以保持里面的安全溫度。

光強可通過軟件控制

軟件具有過熱保護

 紅外燈單元具有高功率、長壽命的聚焦光源。

 在光窗處也使用了濾光片。

 

■ 觀測儀

采用紅外CCD控溫

12ADC

頻率:60Hz100Hz兩個選擇

像素間距: 30μm

分辨率:: 320x256 像素

可手動調(diào)節(jié)紅外鏡頭

 

 

 

典型用戶

 

江西塞維LDK、申和熱磁、中美晶、旭晶能源科技達能科技

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